[发明专利]一种无位错锗单晶片中COP缺陷的腐蚀检测方法在审
| 申请号： | 201410740175.6 | 申请日： | 2014-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN104390983A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 范德胜;柯尊斌;郑华荣;刘新军;刘绍良 | 申请（专利权）人： | 南京中锗科技股份有限公司;中锗科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/88 | 分类号： | G01N21/88;G01N1/32 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 徐莹 |
| 地址： | 210000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无位错锗单晶片中COP缺陷的腐蚀检测方法，从无位错锗单晶按晶向切出厚度为1~2mm的晶片，将晶片的一面在金刚砂磨盘上粗磨磨平，然后在毛玻璃上抛光至晶片表面无明显划痕；配制COP腐蚀液并冷却至0℃；将经过抛光的无位错锗单晶片抛光面朝上放入0℃的腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀时间5~8分钟；腐蚀完成后立即用清水冲洗干净擦干，在显微镜下数出单晶片表面COP缺陷数量。本发明采用的腐蚀液能够腐蚀表面一层锗，从而露出新鲜表面暴露出缺陷，能够保证COP缺陷显现效果，在显微镜下能很方便观察到COP形貌，能准确的检测出无位错锗单晶片中COP缺陷数量，方法简单有效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无位错锗单 晶片 cop 缺陷 腐蚀 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种无位错锗单晶片中COP缺陷的腐蚀检测方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）从无位错锗单晶按晶向切出厚度为1~2mm的晶片，将晶片的一面在金刚砂磨盘上粗磨磨平，然后在毛玻璃上抛光至晶片表面无明显划痕；（2）配制COP腐蚀液并冷却至0℃；（3）将经过抛光的无位错锗单晶片抛光面朝上放入0℃的腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀时间5~8分钟；（4）腐蚀完成后立即用清水冲洗干净擦干，在显微镜下数出单晶片表面COP缺陷数量。
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