[发明专利]单电压亚阈值电平转换器

摘要

本发明属于集成电路技术领域，具体为一种单电压亚阈值电平转换器。其结构包括两个串联的电平转换反相器。第一个反相器的输入与电路的输入相连，它的下拉网络由一个NMOS管组成，上拉网络由三个PMOS管构成，这三个PMOS管构成了一个带二极管的内部反馈环；第二个反相器的输入与电路的输出相连，它的下拉网络也由一个NMOS管组成，上拉网络由两个堆叠的PMOS构成。当电路输入一个低电压信号时，输出会产生一个全摆幅的高压输出信号。本发明结构简单，能够有效的实现一个信号从亚阈值电压到高电压的电平转换。并且整个电路只需要一个高电压电源，使得它的物理版图可以任意布局和摆放，具有很强的灵活性。

主权项

 单电压亚阈值电平转换器，其特征在于包括：一对串联的电平转换反相器；其中：第一个反相器实现输入采样功能，它由第一个NMOS管构成它的下拉网络，第一个PMOS管、第二个PMOS管及第三个PMOS管构成它的上拉网络；其中，第一个NMOS管的栅极与输入相连，漏极与第一个反相器输出相连，源极与全局地相连；第二个PMOS管栅极与输入相连，漏极与第一个反相器输出相连，源极与第二个PMOS管的漏极相连；第二个PMOS管的栅极与漏相连，形成一个二极管，源极与第三个PMOS管的漏极相连；第三个PMOS管的源极与全局高电压电源VDDH相连，栅极由第一个反相器输出控制；这样，第一个反相器的上拉网络形成了一个内带二极管的反馈环；第二个反相器实现电路输出功能，它由第二个NMOS管构成它的下拉网络，串联的第四个PMOS管和第五个PMOS管构成它的上拉网络；这三个MOS管的栅极都与第一个反相器的输出相连，且第二个NMOS管的漏极和第四个PMOS管的漏极都与电路的输出相连，第五个PMOS管的源极与全局高电压电源VDDH相连。