[发明专利]一种快恢复二极管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种快恢复二极管及其制造方法，该快恢复二极管结构包括N型本征区，缓变可控缓冲区，P型发射区，阳极P+区，阴阳极金属，氧化层；以及局域寿命控制区、全局寿命控制区，本发明采用“波浪型”有源区结构、缓变缓冲层结构和局域寿命控制方式提高FRD的性能，“波浪型”有源区结构可有效调节阳极注入效率，缓变缓冲层结构采用多次外延方式形成，工艺易控、一致性好，三者结合利于FRD性能的折中优化。

主权项

1.一种快恢复二极管，所述二极管包括衬底、缓冲区、P型发射区、阳极P+区、金属层和氧化层；所述P型发射区和缓冲区分别设置在衬底两侧；在所述衬底上生长有氧化层；所述金属层位于二极管的两端；其特征在于，所述P型发射区采用波浪型有源区结构；所述缓冲区为缓变可控缓冲区；在所述P型发射区与阳极P+区之间设有局域寿命控制区，二极管设有包围其四周的全局寿命控制区；所述衬底为N型本征区，由均匀掺杂的N型硅衬底组成；所述缓变可控缓冲区包括二层或二层以上的N型掺杂区，并通过多次外延的方式形成，其厚度为15～60um，所述缓变可控缓冲区随着掺杂浓度不断增加形成具有一定浓度梯度的渐变结构，掺杂浓度梯度相差1～5个数量级；通过多次外延的方式形成缓变可控缓冲层的最外层，即N+层；最外层掺杂浓度满足低欧姆接触电阻要求。