[发明专利]一种车载过欠压保护电路在审
申请号: | 201410742553.4 | 申请日: | 2014-12-08 |
公开(公告)号: | CN104682343A | 公开(公告)日: | 2015-06-03 |
发明(设计)人: | 郭应锋;杨金玲;朱月 | 申请(专利权)人: | 深圳市航盛电子股份有限公司 |
主分类号: | H02H3/20 | 分类号: | H02H3/20;H02H3/24 |
代理公司: | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人: | 孙伟 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于车载安防产品的主模块供电保护电路,尤其涉及一种车载过欠压保护电路,所述车载过欠压保护电路包括:车载电源;电压比较器U1;电压比较器U2;主模块;MOSFET管Q1;MOSFET管Q3;电阻R1、电阻R2;阻R3、电阻R4。通过比较器的输出来对P沟道MOSFET进行通断控制,通过主干线二极管获得多路电平值,电路简单,成本较低。 | ||
搜索关键词: | 一种 车载 保护 电路 | ||
【主权项】:
一种车载过欠压保护电路,其特征在于:所述车载过欠压保护电路包括:车载电源,所述车载电源为所述保护电路提供电压;电压比较器U1,用于获取和比较所述车载电源是否过压;电压比较器U2,用于获取和比较所述车载电源是否欠压;主模块,即需要获得电压的电路或者用电器的总成;MOSFET管Q1,该MOSFET管Q1的漏极和源极串联在所述车载电源和所述主模块之间,所述MOSFET管Q1的栅极连接所述电压比较器U1;MOSFET管Q3,该MOSFET管Q3的漏极和源极串联在所述车载电源和所述主模块之间,所述MOSFET管Q3的栅极连接所述电压比较器U2;电阻R1、电阻R2,所述电阻R1和所述电阻R2串联,配合所述车载电源和接地端组成分压电路,所述电阻R1和所述电阻R2之间还包括节点V1,所述电压比较器U1的参考电压比较端连接所述电阻R1和所述电阻R2之间的节点V1;电阻R3、电阻R4,所述电阻R3和所述电阻R4串联,配合所述车载电源和接地端组成分压电路,所述电阻R3和所述电阻R4之间还包括节点V2,所述电压比较器U2的参考电压比较端连接所述电阻R3和所述电阻R4之间的节点V2。
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