[发明专利]具有击穿保护功能的栅绝缘隧穿凹槽基区双极晶体管有效
申请号: | 201410742969.6 | 申请日: | 2014-12-08 |
公开(公告)号: | CN104393033B | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | 靳晓诗;刘溪 | 申请(专利权)人: | 沈阳工业大学 |
主分类号: | H01L29/739 | 分类号: | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/336 |
代理公司: | 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 | 代理人: | 宋铁军;周楠 |
地址: | 110870 辽宁省沈*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种具有击穿保护功能的栅绝缘隧穿凹槽基区双极晶体管,对比同尺寸MOSFETs或隧穿场效应晶体管,通过在集电结和发射结中引入低杂质浓度的击穿保护区以显著提升器件在深纳米尺度下的正向耐压及反向耐压能力;利用隧穿绝缘层阻抗与其内部场强间极为敏感的相互关系实现更优秀的开关特性;利用栅绝缘隧穿电流作为引发发射集电流的驱动电流,实现了更高的正向导通特性;有效抑制了半导体带间隧穿效应所引起的反向泄漏电流并通过采用凹槽结构减小单个晶体管所占芯片面积。另外本发明还提出了该晶体管的具体制造方法,因此适于推广应用。 | ||
搜索关键词: | 具有 击穿 保护 功能 绝缘 凹槽 双极晶体管 | ||
【主权项】:
1.具有击穿保护功能的栅绝缘隧穿凹槽基区双极晶体管,其特征在于:采用只包含单晶硅衬底(1)的体硅晶圆作为生成器件衬底,或采用同时包含单晶硅衬底(1)和晶圆绝缘层(2)的SOI晶圆作为生成器件的衬底;基区(4)位于体硅晶圆的单晶硅衬底(1)或SOI晶圆的晶圆绝缘层(2)的上方,并具有凹槽;击穿保护区(6)位于基区(4)外侧壁两侧;发射区(3)和集电区(5)分别位于基区(4)两侧的击穿保护区(6)的上方;发射极(10)位于发射区(3)的上方;集电极(11)位于集电区(5)的上方;导电层(7)位于基区(4)所形成的凹槽内壁,被基区(4)三面包围;隧穿绝缘层(8)位于导电层(7)的内壁,并被导电层(7)三面包围;栅电极(9)位于隧穿绝缘层(8)内壁底部的上方;阻挡绝缘层(12)位于具有击穿保护功能的栅绝缘隧穿凹槽基区双极晶体管单元之间和单个具有击穿保护功能的栅绝缘隧穿凹槽基区双极晶体管的上方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳工业大学,未经沈阳工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410742969.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类