[发明专利]内嵌折叠栅马鞍形绝缘隧穿增强晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201410742995.9 | 申请日： | 2014-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN104465736A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 靳晓诗;吴美乐;刘溪;揣荣岩 | 申请（专利权）人： | 沈阳工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/10;H01L21/28;H01L21/331 |
| 代理公司： | 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 | 代理人： | 宋铁军;周楠 |
| 地址： | 110870 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种内嵌折叠栅马鞍形绝缘隧穿增强晶体管，对比同尺寸MOSFETs或TFETs器件，具有低寄生电容和低反向泄漏电流的优点。利用隧穿绝缘层阻抗与其内部场强间极为敏感的相互关系实现优秀的开关特性；通过发射极将隧穿信号增强实现了优秀的正向导通特性；另外本发明还提出了一种内嵌折叠栅马鞍形绝缘隧穿增强晶体管单元及其阵列的具体制造方法。该晶体管显著改善了纳米级集成电路单元的工作特性，适用于推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 折叠 马鞍形 绝缘 增强 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
内嵌折叠栅马鞍形绝缘隧穿增强晶体管，其特征在于：采用包含单晶硅衬底(1)和晶圆绝缘层(2)的SOI晶圆作为生成器件的衬底；发射区(3)、基区(4)和集电区(5)位于SOI晶圆的晶圆绝缘层(2)的上方；基区(4)具有凹槽形结构，位于发射区(3)与集电区(5)之间；发射极(9)位于发射区(3)的上方；集电极(10)位于集电区(5)的上方；马鞍形导电层(6)附着于基区(4)凹槽内壁和凹槽底部中间部分的上表面及两侧侧壁，具有马鞍形结构；马鞍形隧穿绝缘层(7)附着于马鞍形导电层(6)马鞍形内壁和马鞍形底部中间部分的上表面及两侧侧壁，具有马鞍形结构；折叠栅电极(8)附着于马鞍形隧穿绝缘层(7)马鞍形内壁和马鞍形底部中间部分的上表面及两侧侧壁；阻挡绝缘层(11)为绝缘介质。
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