[发明专利]横电磁模介质滤波器、射频模块及基站有效

专利信息
申请号: 201410743332.9 申请日: 2014-12-08
公开(公告)号: CN104466315B 公开(公告)日: 2017-11-24
发明(设计)人: 古健;张辉;董利芳 申请(专利权)人: 上海华为技术有限公司
主分类号: H01P1/201 分类号: H01P1/201;H04W88/08
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 代理人: 申健
地址: 200121 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明实施例提供了一种横电磁模介质滤波器。在滤波器内部设置近端抑制结构,通过灵活设计近端抑制结构的形状、位置及尺寸,实现传输零点或零腔的功能,抑制滤波器通带外高频端或低频端的射频信号,具有良好的近端抑制性能。本发明实施例还提供了一种射频模块及基站。
搜索关键词: 电磁 介质 滤波器 射频 模块 基站
【主权项】:
一种横电磁模介质滤波器,其特征在于,包括,谐振器,介质体,金属外壳,所述介质体的外表面覆盖有导电材料,所述金属外壳固定于所述介质体的上方,所述金属外壳与所述介质体之间存在间隙,所述谐振器包括谐振盘与谐振孔,所述谐振盘设置在所述介质体的上表面,所述谐振孔为上下两端开口的中空柱形结构,所述谐振孔的上端开口位于所述谐振盘上,所述谐振孔的下端开口位于所述介质体的下表面,所述谐振孔的内表面覆盖有导电材质,所述谐振盘为金属材质,所述滤波器还包括,近端抑制结构,所述近端抑制结构位于所述介质体内部,所述近端抑制结构的形状、位置及尺寸由所述滤波器目标滤除的信号的频率确定;所述近端抑制结构至少有两端与所述介质体的下表面接触,所述近端抑制结构的其余部分位于所述介质体内的磁场区域。
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