[发明专利]过驱动发射极开关的双极性结型晶体管的基极电流的方法和相应电路

摘要

本发明涉及过驱动发射极开关的双极性结型晶体管的基极电流的方法和相应电路。一种发射极开关的双极性晶体管电路包括：具有连接至输出端子的集电极的双极性结型晶体管BJT、连接至BJT的发射极的金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、连接至BJT的基极的偏置电压电源、连接至BJT的基极的缓冲器、和比较器。比较器包括连接至BJT的集电极的第一输入端、连接至基准电压的第二输入端、和连接至缓冲器的输入端的输出端。比较器配置成，在比较器的第一输入端接收BJT的集电极电压、将所接收的集电极电压与基准电压比较、以及使缓冲器向BJT的基极注入电流脉冲直到集电极电压小于基准电压，基准电压指示BJT基本上饱和。

主权项

1.一种过驱动发射极开关的双极性结型晶体管BJT的基极电流的方法，所述BJT具有基极、集电极和发射极，所述方法包括：向所述BJT的所述基极供给第一电流和第二电流，所述BJT的所述发射极连接至金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极；监控所述集电极的电压；和响应于所监控的所述集电极的电压降低至阈值电压而关断所述第二电流，所述阈值电压指示所述BJT饱和。