[发明专利]一种碳化硅微粉中碳杂质的煅烧去除工艺在审
| 申请号： | 201410747007.X | 申请日： | 2014-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN105883810A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 任海涛 | 申请（专利权）人： | 任海涛 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214400 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅微粉中碳杂质的煅烧去除工艺，包括煅烧、酸洗、烘干等步骤。静态煅烧除碳因低成本、易操作、除碳效果好，能有效控制SiC的氧化，同时达到除去微粉中杂质碳的目的，去除碳后的碳化硅满足半导体电子等等方面对于SiC应用的碳杂质含量的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 微粉中碳 杂质 煅烧 去除 工艺 | ||
【主权项】：
一种碳化硅微粉中碳杂质的煅烧去除工艺，其特征在于，去除工艺包括以下步骤：S1：将碳化硅微粉装入磁舟，用管式热处理炉在600～1200℃，保温煅烧1～5h；S2：将S1所得算少产物冷却，酸洗，经多次超声波振荡和离心分离，得固体产物；S3：将固体产物置于烘干炉中烘干，即得除杂后的碳化硅微粉。
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