[发明专利]一种碳化硅晶须的合成工艺在审
申请号: | 201410747112.3 | 申请日: | 2014-12-09 |
公开(公告)号: | CN105887203A | 公开(公告)日: | 2016-08-24 |
发明(设计)人: | 任海涛 | 申请(专利权)人: | 任海涛 |
主分类号: | C30B29/36 | 分类号: | C30B29/36;C30B29/62;C30B1/10 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214400 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种碳化硅晶须的合成工艺,包括稻草切碎酸洗、制备稻草炭和高温制备碳化硅晶须等步骤。利用稻草和硅粉可以得到以β型为主的SiCw,晶须以光滑、直晶为主,直径为20~100nm,晶须中含有孪晶等面缺陷。本发明可以提高废弃物稻草的利用率,避免稻草秸秆作为燃料燃烧而产生可吸入颗粒物等污染物的现状。 | ||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 合成 工艺 | ||
【主权项】:
一种碳化硅晶须的合成工艺,其特征在于,合成工艺包括以下步骤:S1:稻草切碎至1~2cm,用20%盐酸酸洗,清洗至中性在烘干炉中烘干;S2:将烘干的稻草在真空烧结炉中460℃碳化1~2h随炉冷却,得到稻草炭;S3:将稻草炭、硅粉和催化剂混合均匀装入石墨坩埚,置入真空烧结炉,通入氩气保护,升温至1350~1600℃,保温反应1~2h;所述催化剂为铁粉和NaF,所述催化剂的用量占稻草炭和硅粉质量之和的百分比为2~4%。
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