[发明专利]一种化学气相沉积法制备石墨烯薄膜的方法在审
| 申请号： | 201410747180.X | 申请日： | 2014-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN105734525A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 崔成杰;贾宇冲;马俊杰 | 申请（专利权）人： | 黑龙江鑫达企业集团有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150060 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种Ni金属网栅化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法，由于网栅在大尺寸范围内排列的整齐性，分布的均匀性，在满足催化活性的前提下，利用其制备大尺寸，高质量石墨烯。采用这种来获得在金属网栅表面均匀生长出高质量单晶石墨烯薄膜，即完成低成本制备大尺寸单晶石墨烯。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 沉积 法制 石墨 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种Ni金属网栅化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法，利用网栅在大尺寸范围内排列的整齐性，分布的均匀性，在满足催化活性的前提下，利用其制备大尺寸、高质量、低成本的石墨烯。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
