[发明专利]多元合金薄膜的单靶低成本制备方法

摘要

多元合金薄膜的单靶低成本制备方法，本发明涉及多元合金薄膜的制备方法。本发明要解决现有传统采用合金靶溅射工序复杂及效率低的问题。方法：制备复合靶材，将复合靶材装入单室磁控溅射仪的靶位上，将衬底固定在样品托上，调节衬底与复合靶材之间的距离，抽真空，通入氩气，利用直流磁控溅射，以复合靶材作为阴极进行沉积，然后真空热处理，在真空条件下冷却至室温，最后将薄膜从衬底上剥离或放入去离子水中至衬底溶化，即得到多元合金薄膜。本发明用于多元合金薄膜的单靶低成本制备方法。

主权项

多元合金薄膜的单靶低成本制备方法，其特征在于多元合金薄膜的单靶低成本制备方法是按以下步骤完成的：一、将金属靶材A进行镂空处理，得到镂空处理后的金属靶材，然后将镂空处理后的金属靶材与金属靶材B进行叠放，得到复合靶材；所述的金属靶材A为Ti靶、Ni靶、Ta靶、Nb靶、Zr靶、V靶、Al靶或Mo靶；所述的金属靶材B为Ti靶、Ni靶、Ta靶、Nb靶、Zr靶、V靶、Al靶和Mo靶中的一种或两种；所述的金属靶材A与金属靶材B的材质不同；二、将复合靶材装入单室磁控溅射仪的靶位上，将衬底固定在样品托上，且衬底与复合靶材相向而置，衬底与复合靶材之间的距离为70mm～90mm；三、抽真空，当真空腔的真空度小于1.5×10^‑4Pa后，通入氩气至压强为0.1Pa～0.15Pa；四、利用直流磁控溅射，并调节溅射功率为150W～300W，以复合靶材作为阴极进行沉积，得到带有衬底的薄膜；五、将步骤四得到的带有衬底的薄膜置于温度为400℃～700℃及真空度为5×10^‑5Pa的条件下，真空热处理5min～5h，然后在真空条件下冷却至室温，最后将薄膜从衬底上剥离或放入去离子水中至衬底溶化，即得到多元合金薄膜。