[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法。所述形成方法首先提供半导体衬底，所述半导体衬底具有隔离结构，然后在半导体衬底上形成第一伪栅极和第二伪栅极，第一伪栅极和第二伪栅极至少部分位于隔离结构上方，之后对隔离结构进行刻蚀处理，以在隔离结构表面形成凹槽，后续形成第一主侧墙和第二主侧墙时，第一主侧墙和第二主侧墙能够形成在凹槽内壁，从而防止在后续采用硫酸去除残留金属层的过程中，高K介质层和帽盖层被硫酸侵蚀，从而防止半导体结构失效，提高半导体结构的良率。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有隔离结构；在所述半导体衬底上形成第一伪栅极和第二伪栅极，所述第一伪栅极和第二伪栅极至少部分位于所述隔离结构上；对所述隔离结构进行刻蚀处理，以在所述隔离结构表面形成凹槽；在所述半导体衬底表面，所述第一伪栅极两侧，所述第二伪栅极两侧和所述凹槽中形成主侧墙材料层，所述主侧墙材料层同时填充所述凹槽内壁；刻蚀所述主侧墙材料层，以在第一伪栅极两侧形成第一主侧墙，在所述第二伪栅极两侧形成第二主侧墙，所述第一主侧墙和第二主侧墙同时形成在所述凹槽内壁。