[发明专利]半导体器件制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体制造方法，采用了TSV模板晶圆与产品晶圆形成三明治结构，其中，TSV模板晶圆中具有分布均匀的TSV结构，用于提供产品晶圆之间的电连接，形成3D互连。TSV模板晶圆由半导体晶圆减薄而得，降低了刻蚀和填充难度；通过在TSV模板晶圆上设置连接部件，便于上下两片产品晶圆的互连，降低了对准难度，并且增加了3D器件电连接设计的便利程度。

主权项

1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供具有正面和背面的TSV模板晶圆，通过光刻和刻蚀，在该TSV模板晶圆上形成若干分布均匀的TSV孔洞；在上述TSV孔洞中填充导电材料；对该TSV模板晶圆进行平坦化处理，使上述导电材料仅位于上述TSV孔洞之内；在该TSV模板晶圆的正面和背面，分别通过选择性刻蚀工艺，去除上述TSV孔洞内部分厚度的上述导电材料，然后填充电介质材料，并进行平坦化处理；在该TSV模板晶圆的正面和背面，进行连接区域的构图，通过光刻和刻蚀，形成连接区域沟槽，并在上述连接区域沟槽中填充导电物质，以形成连接部件；将该TSV模板晶圆的正面和背面分别布置一产品晶圆，并进行接合，形成产品晶圆‑TSV模板晶圆‑产品晶圆的三明治结构，其中，产品晶圆通过该TSV模板晶圆中的所述连接部件和所述TSV孔洞内的导电材料进行电连接。