[发明专利]一种原子层沉积设备和应用在审
申请号: | 201410749459.1 | 申请日: | 2014-12-09 |
公开(公告)号: | CN104532210A | 公开(公告)日: | 2015-04-22 |
发明(设计)人: | 巩金龙;王拓;李澄澄 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人: | 王秀奎 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开一种原子层沉积设备和应用,惰性气体储罐通过输气管分别连接第一流量计的进气口和第二流量计的进气口,第一流量计的出气口和第二流量计的出气口分别通过输气管与反应腔体的进气口相连,反应腔体的出气口与真空泵相连,在第一流量计的出气口和反应腔体的进气口之间的输气管路上还设置有第一反应物料罐,在第二流量计的出气口和反应腔体的进气口之间的输气管路上设置有第二反应物料罐,第一反应物料罐内设置有第一温控装置,第二反应物料罐内设置有第二温控装置,反应腔体内设置第三温控装置。本发明结构简单,使用方便,成本降低,在进行使用时,通过控制通入的周期数来控制生长的薄膜的厚度。 | ||
搜索关键词: | 一种 原子 沉积 设备 应用 | ||
【主权项】:
一种原子层沉积设备,其特征在于,包括:惰性气体储罐,调节阀,输气管,第一流量计,第二流量计,第一电控阀,第一反应物料罐,第二电控阀,第二反应物料罐,真空泵,反应腔体,其中:所述惰性气体储罐通过输气管分别连接第一流量计的进气口和第二流量计的进气口,在惰性气体储罐的出气口处设置有调节阀;第一流量计的出气口和第二流量计的出气口分别通过输气管与反应腔体的进气口相连,反应腔体的出气口与真空泵相连;在第一流量计的出气口和反应腔体的进气口之间的输气管路上还设置有第一反应物料罐,且第一反应物料罐通过第一电控阀与输气管相联通;在第二流量计的出气口和反应腔体的进气口之间的输气管路上设置有第二反应物料罐,且第二反应物料罐通过第二电控阀与输气管相联通;第一反应物料罐内设置有第一温控装置,第二反应物料罐内设置有第二温控装置,反应腔体内设置第三温控装置。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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