[发明专利]用于形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201410749757.0 | 申请日： | 2014-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN104701179B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;A.毛德;A.迈泽;H-J.舒尔策;H.韦伯;M.聪德尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/331;H01L21/316 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蒋骏;徐红燕 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 用于形成半导体器件的方法，包括通过在半导体衬底和电解液内的外部电极之间生成吸引电场以吸引电解液的氧化离子从而引起半导体衬底的表面区的氧化，来执行半导体衬底的表面区的阳极氧化以在半导体衬底的表面处形成氧化层。此外，该方法包括在半导体衬底在电解液内的同时，减小氧化层内的剩余氧化离子的数量。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：通过在半导体衬底和电解液内的外部电极之间生成吸引电场以吸引所述电解液的氧化离子从而引起半导体衬底的表面区的氧化，来执行半导体衬底的表面区的阳极氧化以在所述半导体衬底的表面处形成氧化层；在所述半导体衬底在电解液内的同时，减小所述氧化层内的剩余氧化离子的数量；以及将用于执行所述阳极氧化的电解液交换成包括较少氧化离子或不包括氧化离子的电解液，以降低在被氧化的表面区内的剩余氧化离子的数量。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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