[发明专利]一种直接生长原子尺度二维半导体异质结的装置及方法

摘要

本发明公开了一种直接生长原子尺度二维半导体异质结的装置及方法。所述装置包括气氛调节装置、快速切换装置、石英管、加热装置和真空调节装置，石英管的中段位于加热装置内部，石英管的左右两端设置有快速切换装置，所述快速切换装置包括切换杆、后端盖、前端盖、第一套筒、第二套筒、第一耐高温O型圈、第二耐高温O型圈和石英构件。该装置具有有效、快速、结构简单的优点，利用该反应装置可以直接在基底表面生长原子尺度的二维半导体异质结。这种装置不仅可以用来生长异质结，也可以在一次反应中生长两种或两种以上的单一物质，从而缩短了材料生长的时间、降低了生长成本、提高了生产效率。

主权项

一种直接生长原子尺度二维半导体异质结的装置，包括气氛调节装置、石英管、加热装置和真空调节装置，其特征在于所述装置还包括快速切换装置，石英管的中段位于加热装置内部，石英管的左右两端设置有快速切换装置，所述快速切换装置包括切换杆、后端盖、前端盖、第一套筒、第二套筒、第一耐高温O型圈、第二耐高温O型圈和石英构件，其中：后端盖与前端盖相连，前端盖后端与后端盖前端之间设置有第二套筒和第二耐高温O型圈，第二套筒和第二耐高温O型圈套在石英管左右两端的外表面上；切换杆包括前驱物切换杆和基底切换杆，前驱物切换杆位于石英管左侧，其个数至少为两个，基底切换杆位于石英管右侧，其个数至少为一个，切换杆的一端经后端盖与位于石英管内部的石英构件相连，切换杆与后端盖之间设置有第一套筒和第一耐高温O型圈；位于石英管左端的后端盖上开有进气口，进气口与气氛调节装置相连，位于石英管右端的后端盖上开有出气口，出气口与真空调节装置相连。