[发明专利]银纳米颗粒修饰的聚丙烯腈纳米结构阵列柔性衬底的制备方法有效

专利信息
申请号: 201410752482.6 申请日: 2014-12-09
公开(公告)号: CN104498881A 公开(公告)日: 2015-04-08
发明(设计)人: 李中波;孟国文;胡小晔;汪志伟 申请(专利权)人: 中国科学院合肥物质科学研究院
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/20;G01N21/65
代理公司: 北京凯特来知识产权代理有限公司11260 代理人: 郑立明;付久春
地址: 230031安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种银纳米颗粒修饰的聚丙烯腈纳米结构阵列柔性衬底的制备方法,属于SERS衬底制备领域。该方法包括:制备薄膜:在硅衬底上制备有序排列的纳米凹坑模板,将聚丙烯腈溶液旋涂在所述纳米凹坑模板上,之后进行烘干,冷却后获得上层的聚丙烯腈膜,即为聚丙烯腈纳米凸半球有序阵列薄膜;制备衬底:采用离子溅射方法,在上述制得薄膜的聚丙烯腈纳米凸半球有序阵列表面组装银纳米颗粒,即得到银纳米颗粒修饰的聚丙烯腈纳米结构阵列柔性衬底。该方法制备工艺简单,成本低廉,获得的柔性衬底SERS活性高、信号重复性好,且实际操作方便、耐用。
搜索关键词: 纳米 颗粒 修饰 聚丙烯 结构 阵列 柔性 衬底 制备 方法
【主权项】:
一种银纳米颗粒修饰的聚丙烯腈纳米结构阵列柔性衬底的制备方法,其特征在于,包括:制备薄膜:在硅衬底上制备有序排列的纳米凹坑模板,将聚丙烯腈溶液旋涂在所述纳米凹坑模板上,之后进行烘干,冷却后获得上层的聚丙烯腈膜,即为聚丙烯腈纳米凸半球有序阵列薄膜;制备衬底:采用离子溅射方法,在上述制得薄膜的聚丙烯腈纳米凸半球有序阵列表面组装银纳米颗粒,即得到银纳米颗粒修饰的聚丙烯腈纳米结构阵列柔性衬底。
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