[发明专利]金属间合物填充材料的转接板的制造工艺

摘要

本发明涉及一种金属间合物填充材料的转接板的制造工艺，其特征是，包括以下步骤：第一步：在硅转接板上刻蚀盲孔；第二步：在硅转接板的表面和盲孔的内表面沉积绝缘层和铜层；第三步：将Cu颗粒掺杂的液态钎料填充到盲孔中，Cu颗粒的掺杂量为50%～90%，Cu颗粒的粒径为1微米～50微米；第四步：回流后形成金属间化合物；第五步：去除转接板正面的铜层和部分绝缘层；第六步：在硅转接板的正面制作RDL层和微凸点；第七步：在硅转接板的背面进行减薄工艺，露出金属间化合物的底部；第八步：在硅转接板的背面制作背面RDL层和背面微凸点，从而完成转接板的制作。本发明可有效防止裂纹的出现，提高产品的可靠性；同时，极大的减少了工艺时间。

主权项

一种金属间合物填充材料的转接板的制造工艺，其特征是，包括以下步骤：第一步：在硅转接板（1）上刻蚀盲孔（2）；第二步：在硅转接板（1）的表面和盲孔（2）的内表面沉积绝缘层（8）和铜层（9），绝缘层（8）的厚度为10 nm～10μm，铜层（9）的厚度为10 nm～10μm；第三步：将Cu颗粒掺杂的液态钎料填充到盲孔（2）中， Cu颗粒的掺杂量为50%～90%，Cu颗粒的粒径为1微米～50微米；第四步：回流后形成金属间化合物（5），回流过程中：升温至220～300℃，并在220℃以上停留30秒后，再降温至常温；第五步，将硅转接板（1）表面的铜层（8）去除，保留绝缘层（8）；第六步：在硅转接板（1）的正面制作RDL层（3）和微凸点（4）；第七步：在硅转接板（1）的背面进行减薄工艺，露出金属间化合物（5）的底部；第八步：在硅转接板（1）的背面制作背面RDL层（6）和背面微凸点（7），从而完成转接板的制作。