[发明专利]一种有效降低R2FeMoO6的B位反位缺陷浓度的方法

摘要

本发明公开了一种有效降低R2FeMoO6的B位反位缺陷浓度的方法，属于陶瓷材料技术领域。本发明的技术方案要点为：一种有效降低R2FeMoO6的B位反位缺陷浓度的方法，使用RCO3、Fe2O3和MoO3为原料，充分研磨，置于高温烧结炉中预烧，然后分别进行两次研磨、压片，并在H2/Ar混合气氛中高温烧结成型，最后在Ar气氛中急速降温，即制得B位反位缺陷浓度较低的庞磁阻材料R2FeMoO6。本发明在Ar气氛中急速降温，破坏了Fe/Mo反位缺陷形成的环境，制得的庞磁阻材料R2FeMoO6的B位反位缺陷浓度低，Fe/Mo有序度高，有效提高了R2FeMoO6材料的磁电性能。

主权项

一种有效降低R2FeMoO6的B位反位缺陷浓度的方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将纯度≥99.0wt%的RCO3、纯度≥99.0wt%的Fe2O3和纯度≥99.5wt%的MoO3放入烘箱内进行干燥，按照R2FeMoO6的化学计量比分别称取原料RCO3、Fe2O3和MoO3并混合，充分研磨使其混合均匀，然后置于高温烧结炉中预烧使碳酸盐完全分解并初步反应，其中R为Ca、Sr或Ba；（2）将步骤（1）预烧过的样品充分研磨、压片，在H2/Ar混合气氛中进行第一次高温烧结，H2/Ar混合气氛中H2的体积百分含量为5±1%，H2/Ar混合气氛的流量为80±10ml/min，高温烧结温度为1360±10℃，高温烧结时间为15±1h，高温烧结后使样品在Ar气氛中急速降温；（3）将步骤（2）得到的样品再次充分研磨、压片，在H2/Ar混合气氛中进行第二次高温烧结，H2/Ar混合气氛中H2的体积百分含量为5±1%，H2/Ar混合气氛的流量为60±10ml/min，高温烧结温度为1360±10℃，高温烧结时间为10±1h，高温烧结后使样品再次在Ar气氛中急速降温，即制得B位反位缺陷浓度较低的庞磁阻材料R2FeMoO6。