[发明专利]具有上转换层的铜锌锡硫硒类薄膜太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410756475.3 申请日: 2014-12-10
公开(公告)号: CN104465810A 公开(公告)日: 2015-03-25
发明(设计)人: 夏冬林;周斌;刘欣;李乾;王友法;熊真敏 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: H01L31/032 分类号: H01L31/032;H01L31/18
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 崔友明
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及具有上转换层的铜锌锡硫硒类薄膜太阳能电池及其制备方法,包含:基板;背电极,形成于该基板上,通过磁控溅射的方法沉积所得;光电转换层,其为铜锌锡硫硒类薄膜;缓冲层,其为硫化镉薄膜,形成于该光电转换层之上;窗口层,形成于该缓冲层之上;减反射层,其为MgF2薄膜,形成于该窗口层之上;上电极,其为栅状Ni-Al合金,形成于该减反射层之上,所述的背电极与光电转换层之间设有上转换层。本发明的有益效果是:避免太阳热辐射对电池使用寿命的影响;该方法具有操作简便,制备成本低,安全无毒且绿色环保等优点;工艺步骤控制性好,有利于制成大晶粒、致密、光电性能良好的上转换层和光电转换层薄膜,易于大规模生产。
搜索关键词: 具有 转换 铜锌锡硫硒类 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
具有上转换层的铜锌锡硫硒类薄膜太阳能电池,包含:基板;背电极,形成于该基板上,通过磁控溅射的方法沉积所得;光电转换层,其为铜锌锡硫硒类薄膜,其化学式为Cu2ZnSn(SxSe1‑x)4,其中0≤X≤1;缓冲层,其为硫化镉薄膜,形成于该光电转换层之上;窗口层,形成于该缓冲层之上;减反射层,其为MgF2薄膜,形成于该窗口层之上;上电极,其为栅状Ni‑Al合金,形成于该减反射层之上,其特征在于所述的背电极与光电转换层之间设有上转换层,其为氟化物薄膜。
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