[发明专利]一种多元化合物薄膜太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201410757423.8 | 申请日: | 2014-12-10 |
公开(公告)号: | CN105742388B | 公开(公告)日: | 2017-12-26 |
发明(设计)人: | 彭东阳 | 申请(专利权)人: | 北京汉能创昱科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0392 | 分类号: | H01L31/0392;H01L31/18 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 | 代理人: | 彭秀丽,尹学清 |
地址: | 102209 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种多元化合物薄膜太阳能电池,包括衬底和设置于衬底上的背电极、吸收层,背电极和吸收层之间还设有高掺杂层,高掺杂层为p型掺杂的导电层,其与吸收层之间形成背面电场;还提供了一种制备方法,通过磁控溅射方法在衬底上形成背电极;通过磁控溅射或者化学气相沉积的方法在背电极上形成高掺杂层,其中的高掺杂层为p型掺杂的导电层;在高掺杂层上通过磁控溅射、金属源共蒸发的方法形成多元化合物半导体材料吸收层;在吸收层依次形成缓冲层、窗口层和正面电极,制得多元化合物薄膜太阳能电池。本发明通过在背电极和吸收层之间增加p型掺杂的高掺杂层,其与吸收层之间形成背面电场,从而减少吸收层生长时间,提高生产效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 多元 化合物 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种多元化合物薄膜太阳能电池,包括衬底和设置于衬底上的背电极、吸收层、缓冲层、窗口层,其特征在于,所述背电极和吸收层之间还设有高掺杂层,所述高掺杂层为p型掺杂的导电层,其与所述吸收层之间形成背面电场;所述高掺杂层由具有宽带隙的半导体材料制成;所述高掺杂层上形成有粗糙度为100nm‑200nm的纹理化结构;所述衬底与所述背电极之间设有阻挡层,所述阻挡层为具有导电性和耐温性能的过渡金属或者过渡金属氮化物,厚度为0.1μm‑0.5μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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