[发明专利]一种多元化合物薄膜太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410757423.8 申请日: 2014-12-10
公开(公告)号: CN105742388B 公开(公告)日: 2017-12-26
发明(设计)人: 彭东阳 申请(专利权)人: 北京汉能创昱科技有限公司
主分类号: H01L31/0392 分类号: H01L31/0392;H01L31/18
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 代理人: 彭秀丽,尹学清
地址: 102209 北京市*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种多元化合物薄膜太阳能电池,包括衬底和设置于衬底上的背电极、吸收层,背电极和吸收层之间还设有高掺杂层,高掺杂层为p型掺杂的导电层,其与吸收层之间形成背面电场;还提供了一种制备方法,通过磁控溅射方法在衬底上形成背电极;通过磁控溅射或者化学气相沉积的方法在背电极上形成高掺杂层,其中的高掺杂层为p型掺杂的导电层;在高掺杂层上通过磁控溅射、金属源共蒸发的方法形成多元化合物半导体材料吸收层;在吸收层依次形成缓冲层、窗口层和正面电极,制得多元化合物薄膜太阳能电池。本发明通过在背电极和吸收层之间增加p型掺杂的高掺杂层,其与吸收层之间形成背面电场,从而减少吸收层生长时间,提高生产效率。
搜索关键词: 一种 多元 化合物 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种多元化合物薄膜太阳能电池,包括衬底和设置于衬底上的背电极、吸收层、缓冲层、窗口层,其特征在于,所述背电极和吸收层之间还设有高掺杂层,所述高掺杂层为p型掺杂的导电层,其与所述吸收层之间形成背面电场;所述高掺杂层由具有宽带隙的半导体材料制成;所述高掺杂层上形成有粗糙度为100nm‑200nm的纹理化结构;所述衬底与所述背电极之间设有阻挡层,所述阻挡层为具有导电性和耐温性能的过渡金属或者过渡金属氮化物,厚度为0.1μm‑0.5μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京汉能创昱科技有限公司,未经北京汉能创昱科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410757423.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top