[发明专利]薄膜铂电阻制造方法在审
申请号: | 201410757774.9 | 申请日: | 2014-12-10 |
公开(公告)号: | CN104458046A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 林键;宫建;陈星;师军 | 申请(专利权)人: | 中国航天空气动力技术研究院 |
主分类号: | G01K7/18 | 分类号: | G01K7/18;G01M9/02 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人: | 史霞 |
地址: | 100074 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种薄膜铂电阻制造方法,其包括:步骤1:将溅射镀膜得到的铂电阻元件进行高温热处理,同时充入氩气。当温度升高到600℃时,保持温度4个小时,时间到后停止保温,开始冷却;步骤2:当铂电阻冷却到160℃时,保持此温度,持续24小时,时间到后,停止保温自然冷却至室温后取出;步骤3:对铂电阻进行银浆描涂引线操作,并经过热处理使银浆浆料烘干和固结,银浆烘干温度保持在150℃,15分钟时间。银浆固结则要经过550℃的高温,同样保持15分钟时间。经过烘干和固结后的铂电阻,银浆引线焊接性能较好。经过本发明处理的薄膜,与基底的附着力显著提高,提高了传感器的使用寿命,保证了热流测量传感器的使用效率。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 铂电阻 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜铂电阻制造方法,其特征在于,包括:步骤1:将溅射镀膜得到的铂电阻元件进行高温热处理,同时充入氩气。当温度升高到600℃时,保持温度4个小时,时间到后停止保温,开始冷却;步骤2:当铂电阻冷却到160℃时,保持此温度,持续24小时,时间到后,停止保温自然冷却至室温后取出;和步骤3:对铂电阻进行银浆描涂引线操作,并经过热处理使银浆浆料烘干和固结,银浆烘干温度保持在150℃,15分钟时间。银浆固结则要经过550℃的高温,同样保持15分钟时间。
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