[发明专利]一种硅晶片精抛光组合物及制备方法有效
| 申请号： | 201410758563.7 | 申请日： | 2014-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN104530987A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 潘国顺;顾忠华;龚桦;邹春莉;罗桂海;王鑫;陈高攀 | 申请（专利权）人： | 深圳市力合材料有限公司;清华大学;深圳清华大学研究院 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 哈达 |
| 地址： | 518108 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅晶片精抛光组合物及制备方法，涉及化学机械抛光(CMP)领域，该组合物包括二氧化硅溶胶、羟基含氮碱性化合物、羟基羧基酸性化合物、碱性化合物、高分子化合物、表面活性剂和去离子水；所述二氧化硅溶胶中磨粒的粒径为0.1-10nm。本发明采用了粒径降低到几个纳米的抛光颗粒，及稳定此抛光颗粒的羟基含氮碱性化合物及羟基羧基酸性化合物，这些组分有效的保持了颗粒的稳定及分散，提高了抛光后硅晶片表面的精度和质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 抛光 组合 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅晶片精抛光组合物，其特征在于，该组合物包括二氧化硅溶胶、羟基含氮碱性化合物、羟基羧基酸性化合物、碱性化合物、高分子化合物、表面活性剂和去离子水；所述二氧化硅溶胶中磨粒的粒径为0.1‑10nm。
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