[发明专利]一种在含氧气氛下生长高质量碳化硅晶体的方法有效
| 申请号： | 201410758917.8 | 申请日： | 2014-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN105734672B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 刘春俊;彭同华;王波;赵宁 | 申请（专利权）人： | 北京天科合达半导体股份有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
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| 地址： | 100190 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在含氧气氛下生长高质量碳化硅晶体的方法，其包括将装有碳化硅原料、籽晶的石墨坩埚放入SiC晶体生长炉，将含氧的气体如二氧化碳或氧气通过管道直接引入到石墨坩埚，从而生长出高质量碳化硅晶体。相比于常规的气相传输法生长碳化硅晶体，本发明的不同之处在于：在生长体系中引入了氧气或二氧化碳等含氧气体，通过富含氧的气体消耗掉悬浮在生长气氛中的石墨细小颗粒，从而能够显著减少晶体中的包裹物缺陷，获得高质量的碳化硅晶体，提高了碳化硅晶体生长的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧气 下生 长高 质量 碳化硅 晶体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在含氧气氛中生长高质量碳化硅晶体的方法，其包括将碳化硅原料、碳化硅籽晶装入到石墨坩埚中，并将该坩埚放入SiC晶体生长炉；通过气路管道将氩气惰性气体引入到晶体生长炉中，进而调控生长室的压力；通过石墨管道将含氧的气体直接通入到石墨坩埚中，并精确控制进入到石墨坩埚中含氧气体的流量；碳化硅粉末原料温度设定在2000℃到2500℃范围，籽晶处温度设定在低于原料处温度50℃到350℃，进行单晶生长，获得高质量的SiC晶体，所述含氧的气体为二氧化碳或二氧化碳与氧气的混合气体，所述含氧气体的流量随着生长时间的进行逐渐增加，生长结束时的含氧气体的流量为生长开始时流量的2‑50倍，所述石墨管道的内外侧表面镀有碳化钽涂层，所述石墨坩埚的内侧表面镀有碳化钽涂层。
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