[发明专利]一种表面型半导体激光器件防短路结构在审
| 申请号： | 201410759316.9 | 申请日： | 2014-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN104466668A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 尧舜;雷宇鑫;王智勇;邱运涛;贾冠男;高祥宇;吕朝蕙 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 王秀丽 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种表面型半导体激光器件防短路结构，涉及半导体激光器制备封装技术。其包括：蓝宝石衬底、外延生长层、P型电极和N型电极以及一绝缘挡板；所述绝缘挡板通过光刻腐蚀所述外延生长层并镀绝缘层形成，且所述绝缘挡板位于所述P型电极和N型电极之间的绝缘沟道处。本发明隔绝了P型电极与N型电极的焊料，从而有效得防止了在焊接中可能发生的短路情况，减小了封装的难度，优化了封装效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 半导体激光器 短路 结构 | ||
【主权项】：
一种表面型半导体激光器件防短路结构，其包括：蓝宝石衬底、外延生长层、P型电极和N型电极，所述外延生长层逐层沉积于所述蓝宝石衬底的上方，所述外延生长层上方形成P面和N面，所述P型电极和N型电极分别生于所述P面和N面上，所述P型电极和N型电极之间存在高度差，其特征在于，还包括：一绝缘挡板；所述P型电极和N型电极之间形成绝缘沟道；所述绝缘挡板生于所述绝缘沟道之上，位于所述P型电极和N型电极之间；且所述绝缘挡板通过光刻腐蚀所述外延生长层并镀绝缘层生成。
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