[发明专利]基于平板光子晶体的高偏振度及高消光比TE光开关

摘要

本发明公开了一种基于平板光子晶体的高偏振度及高消光比TE光开关。它包括上下两层平板光子晶体相连的一个整体；上平板光子晶体为一个TM禁带和完全禁带的第一平板正方晶格光子晶体，第一平板正方晶格光子晶体的元胞由高折射率旋转正方形杆、单个第一平板介质杆和背景介质组成，第一平板介质杆由高折射率介质套管和套管内的低折射率介质组成，或者由一块高折射率平板薄膜组成，或者由一块低折射率介质组成；下平板光子晶体为一个TM完全禁带的第二正方晶格光子晶体,第二正方晶格光子晶体的元胞由高折射率旋转正方形杆、单个第二平板介质杆和背景介质组成；TE光开关频率为0.453～0.458。本发明结构实现了高偏振度及高消光比的TE光开关。

主权项

一种基于平板光子晶体的高偏振度及高消光比TE光开关，其特征在于，包括上下两层平板光子晶体相连而成的一个整体；所述上平板光子晶体为一个具有TM禁带和完全禁带的第一平板正方晶格光子晶体，所述第一平板正方晶格光子晶体的元胞由高折射率旋转正方形杆、单个第一平板介质杆和背景介质组成，所述第一平板介质杆沿水平方向布置，所述第一平板介质杆使整个上平板光子晶体形成一个整体，所述第一平板介质杆由高折射率介质套管和套管内的低折射率介质组成，或者由一块高折射率平板薄膜组成，或者由一块低折射率介质组成；所述下平板光子晶体为一个具有TM禁带和完全禁带的第二正方晶格光子晶体，所述第二正方晶格光子晶体的元胞由高折射率旋转正方形杆、单个第二平板介质杆和背景介质组成，所述第二平板介质杆沿水平方向布置，所述第二平板介质杆以整个下平板光子晶体形成一个整体，所述第二平板介质杆为高折射率介质杆；所述背景介质为低折射率介质；所述高偏振度及高消光比TE光开关归一化工作频率(a/λ)为0.453～0.458、0.503～0.509或者0.553～0.574，称为工作频带。