[发明专利]纳米金-硅溶胶-聚乙烯基吡咯烷酮修饰金电极的制备方法在审

专利信息
申请号: 201410760580.4 申请日: 2014-12-12
公开(公告)号: CN104458855A 公开(公告)日: 2015-03-25
发明(设计)人: 李利军;杨兰兰 申请(专利权)人: 广西科技大学
主分类号: G01N27/30 分类号: G01N27/30
代理公司: 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 代理人: 张秋云
地址: 545006 广西壮族*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开了纳米金-硅溶胶-聚乙烯基吡咯烷酮修饰金电极的制备方法,在搅拌条件下将氯金酸溶液加热后添加柠檬酸三钠制备纳米金;将金电极抛光活化,反复扫描至得到稳定的CV曲线;将硅溶胶、纳米金、1%PVP混合得到纳米金-硅溶胶-聚乙烯基吡咯烷酮复合液,将处理后的金电极浸入该复合液中30s,室温下晾干即可。本发明的有益效果为:硅溶胶的三维网络结构,使其具有较高的吸附性和粘结性、较好的生物相容性及催化活性等特点。同时,聚乙烯吡咯烷酮K-30的加入改善了硅溶胶易龟裂的缺陷。纳米金具有表面活性高、比表面积大及导电性好等特点,可促进电极与表面修饰物的电子传递。
搜索关键词: 纳米 硅溶胶 聚乙烯 吡咯烷酮 修饰 电极 制备 方法
【主权项】:
纳米金‑硅溶胶‑聚乙烯基吡咯烷酮修饰金电极的制备方法,其特征在于,在搅拌条件下将氯金酸溶液加热,沸腾后添加柠檬酸三钠,溶液颜色发生变化,待稳定后停止加热,放置室温即可得到纳米金;将金电极在金刚砂纸上研磨后,在鹿皮巾上用Al2O3抛至镜面,洗去电极表面抛光粉后分别用水、1:1乙醇、水超声清洗,然后将其置于0.1 mol/L 硫酸溶液中进行循环伏安法活化,在‑0.2~+1.4 V内,反复扫描至得到稳定的CV曲线;将硅溶胶、纳米金、1% PVP混合得到纳米金‑硅溶胶‑聚乙烯基吡咯烷酮复合液,将处理后的金电极浸入该复合液中30s,室温下晾干即可。
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