[发明专利]一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管

摘要

本发明涉及高功率脉冲半导体激光二极管领域，尤其是涉及一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管。本发明针对现有技术存在的问题，提供一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管，通过调节半导体激光二极管芯组的数量M、芯组的间距D、每个半导体激光二极管芯组中半导体激光二极管芯片的数量N、芯片的间距H来调节半导体激光二极管输出的激光脉冲的激光能量、激光功率、光斑的面积和分布，以适应不同尺寸、不同结构的光导开关对激光脉冲参数的不同要求，显著提高在高功率半导体激光二极管驱动下的光导开关的导通性能和使用寿命，同时可降低光导开关的使用成本，减小光导开关触发系统的体积和重量，推动光导开关技术的进一步发展。

主权项

一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管，其特征在于包括：正电极、负电极、半导体激光二极管管座、多个半导体激光二极管芯组、导电银浆、陶瓷片、银电极、电流流入端金丝、芯组连接金丝、电流流出端金丝；半导体激光二极管管座，用于在半导体激光二极管管座底端面上固定正电极、负电极，并在半导体激光二极管管座横切面上固定陶瓷片；陶瓷片表面等间距分布有M个银电极，每个银电极之间相互独立，每个银电极都通过导电银浆将一个半导体激光二极管芯组垂直粘接固定于陶瓷片上，其中每个半导体激光二极管芯组的第N芯片的负极与银电极直接接触；陶瓷片底面粘接于半导体激光二极管管座上，靠近正电极一侧的陶瓷片的末端为陶瓷片始端，远离正电极一侧的陶瓷片的末端为陶瓷片末端；多个半导体激光二极管芯组之间通过芯组连接金丝采用串联的连接方式，正电极通过电流流入端金丝与第一半导体激光二极管芯组第一芯片正极连接；第M半导体激光器二极管芯组第N芯片负极通过电流流出端金丝与负电极连接；位于陶瓷片始端的半导体激光二极管芯组为第一芯组，与第一芯组相邻的芯组为第二芯组，以此类推，位于陶瓷片末端的半导体激光二极管芯组为第M芯组；正电极，驱动电流流入该多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管的电极，正电极穿过半导体激光二极管管座上的小孔固定在在半导体激光二极管管座上，所述小孔内填充绝缘硅胶使正电极和半导体激光二极管管座之间相互绝缘； 通过树脂封装层封装半导体激光二极管管座、半导体激光二极管芯组、电流流入端金丝、芯组连接金丝、电流流出端金丝、正电极、负电极和陶瓷片，形成正电极一端、负电极一端在树脂外边的圆柱体结构；其中正电极另一端、负电极另一端、半导体激光二极管管座、半导体激光二极管芯组、电流流入端金丝、芯组连接金丝、电流流出端金丝和陶瓷片封装在树脂内，半导体激光二极管管座底端面与树脂封装层形成的圆柱体底端面平行。