[发明专利]一种阿魏酸/甲基丙烯酸分子印迹聚合物修饰玻碳电极的制备方法在审
| 申请号： | 201410761157.6 | 申请日： | 2014-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN104407030A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 李利军;崔福海 | 申请（专利权）人： | 广西科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人： | 牟彩萍 |
| 地址： | 545006 广西壮族*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种阿魏酸/甲基丙烯酸分子印迹聚合物修饰玻碳电极的制备方法，1）将玻碳电极分别用金相砂纸打磨，再用0.5和0.3μmA12O3粉抛光至镜面，冲洗掉多余的抛光粉后依次用水、1:1硝酸溶液、无水乙醇和水、水超声清洗；2）将阿魏酸、甲基丙烯酸、AIBN、EGDMA按一定体积比振荡混合得到均一、稳定的复合物溶液，然后将用移液枪吸取上述溶液滴在玻碳电极的表面，放置在60℃的恒温干燥箱中，即可得到阿魏酸/甲基丙烯酸修饰的玻碳电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阿魏酸 甲基丙烯酸 分子 印迹 聚合物 修饰 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阿魏酸/甲基丙烯酸分子印迹聚合物修饰玻碳电极的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：1）电极的预处理 将玻碳电极分别用金相砂纸打磨，再用0.5和0.3μm A12O3 粉抛光至镜面，冲洗掉多余的抛光粉后依次用水、1:1硝酸溶液、无水乙醇和水、水超声清洗；2）电极的制备将阿魏酸、甲基丙烯酸、AIBN、EGDMA按一定体积比振荡混合得到均一、稳定的复合物溶液，然后将用移液枪吸取上述溶液滴在玻碳电极的表面，放置在60℃的恒温干燥箱中，即可得到阿魏酸/甲基丙烯酸修饰的玻碳电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广西科技大学，未经广西科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410761157.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
