[发明专利]LED光源及温度联合处理促进半直立型豌豆早成熟的方法

摘要

本发明公开了LED光源及温度联合处理促进半直立型豌豆早成熟的方法，选用食荚、食粒的半直立型适宜豌豆种子；将豌豆种子用50％多菌灵500倍液浸种2小时，种子洗净，清水浸泡充分吸水后，均匀点在底部铺有吸水纸的育苗盘中进行催芽；待出芽后移到0-15℃温度段、12h光照/12h黑暗的人工育苗箱中，放置15天；于9月初播种到设施大棚内，每亩移栽密度7000-8000株；播种时覆盖地膜，在温度低于3℃时架设小拱棚，在豌豆的出芽、成长期及开花结荚期均增施肥料，并做好防虫防病处理；11月开始分批采收鲜荚或者鲜粒上市，秸秆就地埋青培肥地力。本发明的有益效果是可使新鲜豌豆产量增加，生育期提早，提高经济效益。

主权项

LED光源及温度联合处理促进半直立型豌豆早成熟的方法，其特征在于按照以下步骤进行：步骤1：选用食荚、食粒的半直立型适宜豌豆种子；步骤2：将豌豆种子用50％多菌灵500倍液浸种2小时，种子洗净，清水浸泡充分吸水后，均匀点在底部铺有吸水纸的育苗盘中进行催芽；步骤3：待出芽后移到0‑15℃温度段、12h光照/12h黑暗的人工育苗箱中，放置15天，进行LED光源及温度联合处理；步骤4：于9月初播种到设施大棚内，每亩移栽密度7000‑8000株；步骤5：播种时覆盖地膜，在温度低于3℃时架设小拱棚，在豌豆的出芽、成长期及开花结荚期均增施肥料，并做好防虫防病处理；步骤6：11月开始分批采收鲜荚或者鲜粒上市，秸秆就地埋青培肥地力。