[发明专利]无残留光学光刻胶石墨烯FET的制备及原位表征方法

摘要

本发明公开了一种无残留光学光刻胶石墨烯场效应晶体管的制备及原位表征方法，其中制备方法包括：将生长的石墨烯转移至半导体衬底表面，在石墨烯表面旋涂光学光刻胶，对石墨烯进行光刻，得到图形化的石墨烯；将图形化的石墨烯再次浸入显影液中，直至残留光刻胶完全溶解；在图形化的石墨烯表面沉积与光学光刻胶能选择性溶解的有机物保护层或无机金属保护层；再次经过反转胶，光学光刻制作金属电极的图形；将石墨烯-金属接触区域的保护层进行可控清除，保证接触区域表面无残留光刻胶；制作源漏电极，完成无残留光学光刻胶石墨烯场效应晶体管的制备。本发明利用原子力显微术、静电力显微术等技术表征残留光学光刻胶对石墨烯载流子迁移率的影响。

主权项

一种无残留光学光刻胶石墨烯场效应晶体管的制备方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：将生长的石墨烯转移至半导体衬底表面，在石墨烯表面旋涂光学光刻胶，对石墨烯进行光刻，得到图形化的石墨烯；步骤2：将图形化的石墨烯再次浸入显影液中，直至残留光刻胶完全溶解；步骤3：在图形化的石墨烯表面沉积与光学光刻胶能选择性溶解的有机物保护层或无机金属保护层；步骤4：再次经过反转胶，光学光刻制作金属电极的图形；步骤5：将石墨烯‑金属接触区域的保护层进行可控清除，保证接触区域表面无残留光刻胶；步骤6：制作源漏电极，完成无残留光学光刻胶石墨烯场效应晶体管的制备。