[发明专利]一种亲水性聚偏氟乙烯平板膜的制备方法有效
申请号: | 201410765056.6 | 申请日: | 2014-12-12 |
公开(公告)号: | CN104587853B | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 李义涛;崔伟;王言伦;汤诚 | 申请(专利权)人: | 东莞市长安东阳光铝业研发有限公司 |
主分类号: | B01D71/78 | 分类号: | B01D71/78;B01D69/06;B01D69/02;B01D67/00 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 巩克栋,杨晞 |
地址: | 523871 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种亲水性聚偏氟乙烯平板膜的制备方法,将聚偏氟乙烯、致孔剂、亲水性单体、引发剂和溶剂制成铸膜液,然后制备成平板膜,再将该平板膜用高能电子束进行辐照后,得到亲水性的聚偏氟乙烯平板膜。该方法操作简单,制备的聚偏氟乙烯平板膜的具有较高的亲水性,水通量大,拉伸强度高,亲水性聚合物在平板膜内分布均匀,不易脱落。 | ||
搜索关键词: | 一种 亲水性 聚偏氟 乙烯 平板 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种亲水性聚偏氟乙烯平板膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将聚偏氟乙烯、亲水性单体、引发剂、致孔剂和溶剂制备成铸膜液;2)将得到的铸膜液静置脱除气泡后制备成平板膜;3)将得到的平板膜在水或水的复合溶剂组成的凝固浴中进行固化成膜,并在固化过程中或固化之后用高能电子进行辐照,得到亲水性的聚偏氟乙烯平板膜;所述的亲水性单体选自结构式为F(CF2)nCH2CH2OH的全氟烷基乙基醇或结构式为CH2=CHCOOC2H2(CF2)mF的全氟烷基乙基丙烯酸酯;其中,n为2、4或6,m为4、6、8或10。
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