[发明专利]用于堆叠的CMOS器件的连接技术有效
| 申请号： | 201410765376.1 | 申请日： | 2014-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN104716087B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 曾祥仁;陈威宇;江庭玮;田丽钧 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种堆叠的集成电路包括垂直连接在一起的多层。多层水平连接结构被制造于层的衬底内。从衬底之上观察时水平连接结构的层具有不同的图案。本发明还涉及用于堆叠的CMOS器件的连接技术。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 堆叠 cmos 器件 连接 技术 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路(IC)，包括：第一器件层，具有位于第一衬底内的第一层间水平互连结构，其中所述第一器件层的器件位于所述第一衬底上，以及第二器件层，通过所述第一层间水平互连结构电连接至所述第一器件层的器件，其中，所述第一层间水平互连结构包括具有不同图案的第一导电层和第二导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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