[发明专利]一种提高萤石型离子导体膜材料氧通量的方法

摘要

本发明涉及一种提高萤石型离子导体膜材料氧通量的方法，将具有高电子导电能力的物质通过高能机械球磨的方法添加到萤石型离子导体膜材料中，形成表达式为M0+M1混合的多相透氧膜材料；其中萤石型离子导体膜材料M0的结构式为AxB1‑xO2‑δ，A位阳离子为稀土金属离子的一种或几种，B位阳离子为与A位阳离子不同稀土金属离子中的一种或几种，0.1<x<0.9，0≤δ≤1；其中高电子导电能力物质M1为金属氧化物或金属碳酸盐中的一种或几种；M1与M0的质量百分比在10％到40％之间。通过此种方法制备的多相透氧膜膜片在600‑900℃温度范围内，氧通量明显得到提高。

主权项

一种提高萤石型离子导体膜材料氧通量的方法，其特征在于：将具有高电子导电能力的物质通过高能机械球磨法添加到萤石型离子导体膜材料中，经焙烧形成表达式为M0+M1混合的多相透氧膜材料；其中萤石型离子导体膜材料M0为CexSm1‑xO2‑δ，CexGd1‑xO2‑δ或CexPr1‑xO2‑δ，其中0.1<x<0.9,0<δ<1；高导电能力的物质M1为过渡金属氧化物或碱土金属碳酸盐中的一种或几种；M1与M0的质量比为0.1‑0.4:1。