[发明专利]玻璃基板上埋入无源元件的圆片级制造方法有效
申请号: | 201410765689.7 | 申请日: | 2014-12-11 |
公开(公告)号: | CN104401934A | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | 尚金堂;马梦颖 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 赵梅 |
地址: | 210096 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种玻璃基板上埋入无源元件的圆片级制造方法,干法刻蚀高掺杂硅圆片形成高掺杂硅模具圆片,其内含埋入无源器件结构模具的凹槽阵列;将玻璃圆片与其在真空中阳极键合;加热键合圆片使玻璃熔融填充满凹槽阵列内空隙,退火,冷却,形成回流圆片;完全研磨和抛光回流圆片的上部全玻璃衬底;完全刻蚀埋入玻璃衬底的无源器件结构模具;电镀铜填充满玻璃衬底内无源器件结构模具被刻蚀后留下的中空结构;刻蚀全高掺杂硅衬底与凹槽阵列之间的未刻蚀硅,得到埋入无源元件的玻璃衬底若干个;沉积金属粘附层,电镀金属导电层,用作无源元件单元件,或3D集成的玻璃转接板。本方法步骤简单,成本低廉,制备的无源元件性能优越。 | ||
搜索关键词: | 玻璃 基板上 埋入 无源 元件 圆片级 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种玻璃基板上埋入无源元件的圆片级制造方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、干法刻蚀高掺杂硅圆片形成高掺杂硅模具圆片(1),使高掺杂硅模具圆片(1)上包含内含埋入无源器件结构模具(2)的凹槽阵列(3),凹槽阵列(3)之间的未刻蚀硅(4)用于后续器件分离;步骤二、将玻璃圆片(5)与步骤一得到的高掺杂硅模具圆片(1)在真空中阳极键合,使得凹槽阵列(3)密封于键合圆片内;步骤三、将步骤二得到的键合圆片放置在空气中加热,加热温度高于玻璃的软化点温度,并保温,直至熔融玻璃在凹槽内外压强差的作用下回流填充满凹槽阵列(3)内空隙,退火,冷却至常温,形成底部全高掺杂硅衬底(6),中间埋入无源器件结构模具(2)的玻璃衬底和未刻蚀硅(4)的复合结构(7),上部全玻璃衬底(8)的三重结构的回流圆片;步骤四、完全研磨和抛光步骤三得到的回流圆片的全玻璃衬底(8),使埋入无源器件结构模具(2)的上表面裸露在玻璃衬底上表面;步骤五、干法刻蚀埋入玻璃衬底的无源器件结构模具(2);步骤六、以全高掺杂硅衬底(6)为种子层,电镀铜填充满玻璃衬底内无源器件结构模具(2)被刻蚀后留下的中空结构,电镀铜形成埋入玻璃衬底的无源元件(10);步骤七、湿法刻蚀全高掺杂硅衬底(6)与凹槽阵列(3)之间的未刻蚀硅(4),得到免切割自分离的埋入无源元件(10)的玻璃基板(11)若干个;步骤八、表面加工步骤七得到的玻璃基板,沉积金属粘附层(12),电镀金属导电层(13),用作无源元件单元件,或3D集成的玻璃转接板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学,未经东南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410765689.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。