[发明专利]形成纳米线阵列的方法有效
| 申请号： | 201410766450.1 | 申请日： | 2014-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN105742239B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 洪培真;徐秋霞;殷华湘;李俊峰;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种形成纳米线阵列的方法，包括：步骤1、在衬底上形成多个硬掩膜图形；步骤2、各向同性刻蚀，在衬底上形成多个突出部，多个突出部与多个硬掩膜图形分离，多个硬掩膜图形下表面没有衬底材料残留；步骤3、对衬底执行多个周期性刻蚀工艺，形成多个纳米线排列成的多个行；步骤4、清洗并去除多个硬掩膜图形。依照本发明的形成纳米线阵列的方法，在同一个腔室内交替进行各向异性和各向同性刻蚀，并且用各向同性刻蚀去除了最顶部的纳米线，提高了纳米线阵列均匀性，降低了成本，节省了时间。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成纳米线阵列的方法，包括：步骤1、在衬底上形成多个硬掩膜图形；步骤2、各向同性刻蚀，在衬底上形成多个突出部，多个突出部与多个硬掩膜图形分离，多个硬掩膜图形下表面没有衬底材料残留；步骤3、对衬底执行多个周期性刻蚀工艺，形成多个纳米线排列成的平行于衬底的多个行；步骤4、清洗并去除多个硬掩膜图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
