[发明专利]一种CIGS太阳电池吸收层制备方法

摘要

本发明公开了一种CIGS太阳电池吸收层制备方法。使用本发明能够在较低温度下一步生成平整、致密、均匀、光电性能良好的CIGS太阳电池光吸收层薄膜，能显著降低CIGS太阳电池光吸收层薄膜的制备温度，简化工艺。本发明利用Se离子高的化学活性以及离子的动能对表面吸附、解离以及扩散作用的增强而降低反应沉积温度，在基底上采用磁控溅射CuGa合金靶和In靶、或CuGa合金靶和CuIn合金靶、或CuInGa合金靶的同时，采用硒离子束进行硒化反应，生成CIGS太阳电池吸收层，实现低温一步沉积。

主权项

一种CIGS太阳电池吸收层制备方法，其特征在于，将基底加热至250℃～350℃并保温，然后在基底上采用磁控溅射CuGa合金靶和In靶、或CuGa合金靶和CuIn合金靶、或CuInGa合金靶，同时采用硒离子束进行硒化反应，生成CIGS太阳电池吸收层。