[发明专利]集成电容在审
| 申请号： | 201410767297.4 | 申请日： | 2014-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN105280607A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 陈晞白;李东兴 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 张金芝;杨颖 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成电容，包含：半导体衬底，包含沟槽隔离区域；第一层间电介质层，覆盖沟槽隔离区域；第一电极板，包含第一层间电介质层中的至少第一接触层，其中接触层直接位于沟槽隔离区域上；第二电极板，位于第一层间电介质层；以及电容电介质结构，位于第一电极板与第二电极板之间。通过上述方案，可以在保持电容水平的基础上有效地减少占用芯片空间，且可以不需要额外的光掩膜。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 电容 | ||
【主权项】：
一种集成电容，其特征在于，包含：半导体衬底，包含沟槽隔离区域；第一层间电介质层，覆盖所述沟槽隔离区域；第一电极板，至少包含所述第一层间电介质层中的第一接触层，其中所述第一接触层直接位于所述沟槽隔离区域上；第二电极板，位于所述第一层间电介质层；以及电容电介质结构，位于所述第一电极板与所述第二电极板之间。
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