[发明专利]制造柔性基底的方法和使用该方法制造显示装置的方法有效
| 申请号： | 201410769098.7 | 申请日： | 2014-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN104752164B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 哈伊克·哈洽图安;具贤祐;金善浩;金泰雄 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/00;H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;戴嵩玮 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种制造柔性基底的方法和一种使用该方法制造显示装置的方法。在支撑基底上形成牺牲层并在牺牲层上形成柔性基底。然后在柔性基底上形成像素。通过微波能加热牺牲层，并从牺牲层排出气体。利用所述气体将包括形成在其上的像素的柔性基底和包括形成在其上的牺牲层的支撑基底分开。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 柔性 基底 方法 使用 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种制造显示装置的方法，其特征在于所述方法包括：在支撑基底上形成牺牲层；在牺牲层上形成柔性基底；在柔性基底上形成像素；利用微波能加热牺牲层以从牺牲层产生气体，从而削弱柔性基底和牺牲层之间的结合；以及利用所述气体将柔性基底和支撑基底分开，其中，牺牲层包括氢化碳化硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司，未经三星显示有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410769098.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：掩膜图形的形成方法
- 下一篇：一种沟槽刻蚀方法及刻蚀装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
