[发明专利]一种III-V族氮化物的外延结构及其生长方法有效
| 申请号： | 201410770181.6 | 申请日： | 2014-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN104485400A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 郑锦坚;杜伟华;徐宸科;伍明跃;郑建森;寻飞林;李志明;邓和清;周启伦;李水清;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;C30B29/40;C30B29/38;C30B25/16;C30B25/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种III-V族氮化物的外延结构及其生长方法，包括步骤：提供一图形化衬底；在所述图形化衬底上生长AlN缓冲层的底层结构，其生长过程从图形化衬底的底部逐渐覆盖至图形化衬底的顶部，使得底层结构上表面趋于平整，由于二维侧向生长，可以使部分位错弯曲，在侧向外延的同时，AlN缓冲层较难在图形化衬底的侧面进行成核和生长，从而在所述底层结构与图形化衬底侧面之间形成空气层间隙；在所述底层结构上继续生长AlN缓冲层，直至上表面大致平整；在所述大致平整的AlN缓冲层上生长III-V族氮化物层，从而改善III-V族氮化物层的外延质量，减少晶格缺陷，提升出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 iii 氮化物 外延 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种III‑V族氮化物的外延结构，包括：图形化衬底，位于图形化衬底之上的AlN缓冲层以及位于AlN缓冲层之上的III‑V族氮化物层，其特征在于：所述AlN缓冲层采用同时或交替通入TMIn/Cp2Mg的迁移率增强技术，使得Al原子迁移至图形化衬底的底部进行成核，底层结构填充图形化衬底底部，并与图形化衬底侧面之间形成空气层间隙，且AlN缓冲层的上表面仍保持大致平整，用于改善III‑V族氮化物层的外延质量，减少晶格缺陷，提升出光效率。
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