[发明专利]高持久性非易失性存储单元有效
| 申请号： | 201410770312.0 | 申请日： | 2014-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN105321951B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 施宏霖;才永轩;曹淳凯;刘珀玮;黄文铎;许祐凌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L21/336;H01L27/11521;H01L21/762;H01L21/28;H01L29/51;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及非易失性存储单元结构和相关方法。非易失性存储单元包括具有通过浮栅桥连接在一起的浮置栅极的彼此间隔开的两个晶体管。在操作过程中，非易失性存储器单元从第一晶体管编程和擦除并且从另一个第二晶体管读出。由于两个晶体管的浮置栅极连接在一起并且与其他的周围的层绝缘，存储的电荷可以受到第一晶体管的控制并且影响第二晶体管的阈值。 | ||
| 搜索关键词： | 持久性 非易失性 存储 单元 | ||
【主权项】：
1.一种设置在衬底上方的非易失性存储单元，包括：第一有源区和第二有源区，由第一方向上的中心隔离区分隔开；第一外围隔离区和第二外围隔离区，设置在所述第一有源区和所述第二有源区的最外侧周围；所述中心隔离区以及所述第一外围隔离区和所述第二外围隔离区在所述第一有源区和所述第二有源区之上具有第一高度，从而在所述中心隔离区和所述第一外围隔离区之间形成第一凹槽，并且在所述中心隔离区和所述第二外围隔离区之间形成第二凹槽；第一浮置栅极和第二浮置栅极，分别设置在所述第一凹槽和所述第二凹槽中；以及浮栅桥，设置在所述中心隔离区上方，电连接所述第一浮置栅极和所述第二浮置栅极；其中，所述第一浮置栅极设置为邻接所述第一外围隔离区的第一侧壁并且所述第二浮置栅极设置为邻接所述第二外围隔离区的第二侧壁。
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