[发明专利]一种叠层薄膜太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201410773518.9 | 申请日: | 2014-12-12 |
公开(公告)号: | CN105742390A | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
发明(设计)人: | 彭东阳 | 申请(专利权)人: | 北京汉能创昱科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/046 | 分类号: | H01L31/046;H01L31/0725;H01L31/0749;H01L31/18 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀丽;尹学清 |
地址: | 102209 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种叠层薄膜太阳能电池,包括衬底和依次设置于衬底上的背电极、底电池、顶电池和窗口层,底电池和顶电池之间设有隧道结,隧道结包括n+型半导体层和p+型半导体层,n+型半导体层与底电池的n型半导体层接触,p+型半导体层与顶电池的p型半导体层接触;同时还提供了上述结构的制备方法,本发明在底电池和顶电池间利用隧道结的形式连接,实现两电池间的导电连接,相对机械叠层的方式更便于调节光学透过和电阻率。同时,本发明采用合适的隧道结实现叠层的连续生长,相对于机械叠层的方法减少工艺步骤,并增加了电池的可靠性,提升整体电池效率,可以减弱载流子界面复合。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种叠层薄膜太阳能电池,包括衬底和依次叠加设置于所述衬底上的背电极、底电池、顶电池、窗口层和正面电极,其特征在于,所述底电池与顶电池间设有隧道结,所述底电池的带隙小于所述顶电池的带隙;所述的底电池和顶电池均由p型半导体层和n型半导体层组成,所述隧道结包括n+型半导体层和p+型半导体层,所述n+型半导体层与所述底电池中的n型半导体层接触,所述p+型半导体层与所述顶电池的p型半导体层接触。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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