[发明专利]一种叠层薄膜太阳能电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201410773518.9 申请日: 2014-12-12
公开(公告)号: CN105742390A 公开(公告)日: 2016-07-06
发明(设计)人: 彭东阳 申请(专利权)人: 北京汉能创昱科技有限公司
主分类号: H01L31/046 分类号: H01L31/046;H01L31/0725;H01L31/0749;H01L31/18
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 彭秀丽;尹学清
地址: 102209 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种叠层薄膜太阳能电池,包括衬底和依次设置于衬底上的背电极、底电池、顶电池和窗口层,底电池和顶电池之间设有隧道结,隧道结包括n+型半导体层和p+型半导体层,n+型半导体层与底电池的n型半导体层接触,p+型半导体层与顶电池的p型半导体层接触;同时还提供了上述结构的制备方法,本发明在底电池和顶电池间利用隧道结的形式连接,实现两电池间的导电连接,相对机械叠层的方式更便于调节光学透过和电阻率。同时,本发明采用合适的隧道结实现叠层的连续生长,相对于机械叠层的方法减少工艺步骤,并增加了电池的可靠性,提升整体电池效率,可以减弱载流子界面复合。
搜索关键词: 一种 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种叠层薄膜太阳能电池,包括衬底和依次叠加设置于所述衬底上的背电极、底电池、顶电池、窗口层和正面电极,其特征在于,所述底电池与顶电池间设有隧道结,所述底电池的带隙小于所述顶电池的带隙;所述的底电池和顶电池均由p型半导体层和n型半导体层组成,所述隧道结包括n+型半导体层和p+型半导体层,所述n+型半导体层与所述底电池中的n型半导体层接触,所述p+型半导体层与所述顶电池的p型半导体层接触。
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