[发明专利]一种室温P-N-P异质结型氢气传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201410774303.9 | 申请日： | 2015-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN104502421A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 太惠玲;刘春华;叶宗标;蒋亚东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 杨保刚 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子机械系统气体传感器、半导体材料和有机/无机复合纳米材料领域，公开了一种室温P-N-P异质结型氢气传感器及其制备方法。首先采用碱法或干法刻蚀工艺制备P型微结构硅衬底，或者采用酸法或电化学法刻蚀工艺制备P型多孔硅衬底，然后在硅衬底表面制备金属纳米颗粒（作为N型材料），再在金属纳米颗粒层上方制备P型有机半导体薄膜，最后在敏感薄膜上制备叉指电极，得到电阻型P-N-P异质结型氢气传感器。本发明从材料和结构两方面提高了传感器的性能，使其可在室温下工作，具有良好的应用开发前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 室温 异质结型 氢气 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种室温P‑N‑P异质结型氢气传感器，其特征在于：包括衬底，所述衬底为P型微结构硅或P型多孔硅，所述P型微结构硅或P型多孔硅的表面设置有金属纳米颗粒层，所述金属纳米颗粒层的表面设置有P型有机半导体薄膜，所述P型有机半导体薄膜的表面设置有叉指电极。
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