[发明专利]一种图形化的蓝宝石衬底的制造方法在审
申请号: | 201410774549.6 | 申请日: | 2014-12-16 |
公开(公告)号: | CN104576845A | 公开(公告)日: | 2015-04-29 |
发明(设计)人: | 夏鼎智 | 申请(专利权)人: | 深圳市德上光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 深圳国鑫联合知识产权代理事务所(普通合伙) 44324 | 代理人: | 王志强 |
地址: | 518000 广东省深圳市光明新区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种图形化的蓝宝石衬底的制造方法,提供一平坦衬底,在其表面形成掩模层;利用光刻技术在其表面制作图形化的掩模层;利用图形化的掩模层,采用湿法腐蚀或干法刻蚀工艺在衬底表面形成图形化并去掉掩模层;在图形化的衬底表面形成绝缘介质膜;利用光刻技术保护图形化衬底间隙之间的绝缘介质膜;采用湿法腐蚀或干法刻蚀工艺去掉光刻保护以外的绝缘介质膜。本衬底制造方法采用绝缘介质膜表面不能够生长外延,避免了垂直方向的外延生长,增加了侧向外延生长,降低了发光区位错密度。采用一定膜厚的绝缘介质膜填充了图形化衬底间隙,使间隙深度变浅,减少了外延生长周期。 | ||
搜索关键词: | 一种 图形 蓝宝石 衬底 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种图形化的蓝宝石衬底的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:A.提供一平坦衬底,在其表面形成掩模层;B.利用光刻技术在其表面制作图形化的掩模层;C.利用图形化的掩模层,采用湿法腐蚀或干法刻蚀工艺在衬底表面形成图形化并去掉掩模层;D.在图形化的衬底表面形成绝缘介质膜;E.利用光刻技术保护图形化衬底间隙之间的绝缘介质膜;F.采用湿法腐蚀或干法刻蚀工艺去掉光刻保护以外的绝缘介质膜。
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