[发明专利]一种锑化镓单晶生长的平面结晶界面控制结构及使用方法有效
| 申请号： | 201410774902.0 | 申请日： | 2014-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN104404615A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 李璐杰;陈馨;张颖武;练小正;司华青 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种锑化镓单晶生长的平面结晶界面控制结构及使用方法。该结构包括石英安瓿瓶、石英坩埚、石墨锭、石墨塞和金属Ga锭，石英坩埚为籽晶井端开口的石英坩埚，石墨塞为T型圆柱石墨塞，石墨塞置于籽晶井端口，金属Ga锭置于石英安瓿瓶底部，石英安瓿瓶倒扣在石英坩埚上，石英安瓿瓶中的金属Ga锭与石墨塞接触；石英安瓿瓶与石英坩埚的放肩部位留有缝隙；石墨锭水平推入石英安瓿瓶，使石墨锭前端与石英坩埚结合。采用本控制结构及使用方法，避免了坩埚与坩埚托之间的支撑结构对热场及固液界面的不利影响，用于优化热场分布，控制平面结晶界面的产生。参考传统的多晶料化料和单晶生长工艺，可改善结晶界面形状，获得高质量的锑化镓单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锑化镓单晶 生长 平面 结晶 界面 控制 结构 使用方法 | ||
【主权项】：
一种锑化镓单晶生长的平面结晶界面控制结构，其特征在于，该控制结构包括石英安瓿瓶（1）、石英坩埚（2）、石墨锭（5）、石墨塞（6）和金属Ga锭（7），所述的石英坩埚（2）为籽晶井（4）端开口的石英坩埚，石墨塞（6）为T型圆柱石墨塞，石墨塞（6）放置于石英坩埚（2）的籽晶井（4）端口，用于封堵籽晶井（4）端口，避免籽晶滑落；所述的金属Ga锭（7）置于石英安瓿瓶（1）底部，石英安瓿瓶（1）倒扣在石英坩埚（2）上，石英安瓿瓶（1）中的金属Ga锭（7）与石墨塞（6）接触；石英安瓿瓶（1）与石英坩埚（2）的放肩部位（3）留有缝隙；所述的石墨锭（5）水平推入石英安瓿瓶（1），使石墨锭（5）前端与石英坩埚（2）结合。
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