[发明专利]陀螺光学元件石英衬底材料CMP抛光表面粗糙度的控制方法在审
| 申请号： | 201410776195.9 | 申请日： | 2014-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN104526539A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 牛新环;何彦刚;王辰伟;潘国峰;刘玉岭 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B37/005;B24B57/02 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 杨红 |
| 地址： | 300130 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种陀螺光学元件石英衬底材料CMP抛光表面粗糙度的控制方法，选择两步抛光法进行化学机械抛光，第一步选用抛光液，第二步选用去离子水的水抛液，两步抛光在同一台抛光机上完成；所述第二步的抛光工艺条件为流量300g-500g/min、温度20-30℃、抛光压力0-2psi；抛光液组分，包括磨料粒径15-60nm、浓度≥40％、硬度≤7Mohs的SiO2 2-50％，活性剂0.5-1.0％，螯合剂0.5-1.0％，pH调节剂0.5-2％。有益效果：选用两步抛光法，在同一台抛光机上第一步抛光可实现高去除，第二步水抛可实现低粗糙的表面控制要求。减小了材料损伤层，有效提高其表面的光洁度。 | ||
| 搜索关键词： | 陀螺 光学 元件 石英 衬底 材料 cmp 抛光 表面 粗糙 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种陀螺光学元件石英衬底材料CMP抛光表面粗糙度的控制方法，其特征是：由以下步骤组成：选择两步抛光法进行化学机械抛光，第一步选用抛光液，第二步选用去离子水的水抛液，两步抛光在同一台抛光机上完成；所述抛光液组分为按质量百分比计，包括粒径15‑60nm、浓度≥40％、硬度≤7Mohs的SiO2水溶胶磨料2‑50％，活性剂0.5‑1.0％，螯合剂0.5‑1.0％，pH调节剂0.5‑2％；抛光工艺条件：压力0‑27.58KPa，温度20‑40℃，流量50‑150g/min，转速60‑80r/m；所述第二步的抛光工艺条件：流量300g‑500g/min、温度20‑30℃、抛光压力0‑13.79KPa。
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