[发明专利]减少SOC应用中的芯体对芯体失配的方法在审
| 申请号： | 201410776548.5 | 申请日： | 2014-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN104716063A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 王圣棠;张家铭;林士哲;王昭瑞 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于减少芯体对芯体失配的方法。该方法包括通过测量装置测量第一组SOC产品中的每个芯体的代表性图案的栅极长度。第一组SOC产品中的每一个包括两个以上彼此相同的芯体。该方法还包括根据每个芯体的栅极长度之间的差值确定调整量，并且根据调整量来分别调整用于第二组SOC产品中的每个芯体的栅极长度的临界尺寸的制造条件以用于减少由于每个芯体的周围环境而导致的芯体对芯体失配。第二组中的SOC产品中的每一个包括两个以上彼此相同并且还与第一组中的芯体相同的芯体。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 soc 应用 中的 失配 方法 | ||
【主权项】：
一种用于减少芯体对芯体失配的方法，包括：通过测量装置测量第一组系统级芯片(SOC)产品中的每个芯体的代表性图案的栅极长度，其中，所述第一组中的所述SOC产品均包括两个以上彼此相同的芯体；根据每个芯体的所述栅极长度之间的差值确定调整量；以及根据所述调整量来分别调整用于第二组SOC产品中的每个芯体的栅极长度的临界尺寸(CD)的制造条件以减少由于每个芯体的周围环境而导致的芯体对芯体失配，其中，所述第二组中的所述SOC产品均包括两个以上彼此相同并且还与所述第一组中的芯体相同的芯体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
