[发明专利]一种Nd掺杂CoZr基高频软磁薄膜及其制备无效
申请号: | 201410776723.0 | 申请日: | 2014-12-15 |
公开(公告)号: | CN104465017A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 徐锋;尹媛 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | H01F10/12 | 分类号: | H01F10/12;H01F41/18 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 邹伟红;朱显国 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种Nd掺杂的CoZr基高频软磁薄膜及其制备。薄膜成分为Co100-x-yZrxNdy,其中x=9~18,y=1.5~3。本发明利用复合靶磁控溅射将Nd元素引入CoZr薄膜中,并在溅射过程中利用磁场诱导感生磁各向异性。本发明所得到的Co100-x-yZrxNdy薄膜,保持良好的软磁特性和显著的面内单轴磁各向异性,从磁导率谱上得出的阻尼系数随着Nd含量的升高而有显著增强。 | ||
搜索关键词: | 一种 nd 掺杂 cozr 高频 薄膜 及其 制备 | ||
【主权项】:
一种Nd掺杂CoZr基高频软磁薄膜,其特征在于,所述薄膜具体成分为Co100‑x‑yZrxNdy,其中,x=9~18,y=1.5~3。
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