[发明专利]器件晶片的加工方法在审
申请号: | 201410776904.3 | 申请日: | 2014-12-15 |
公开(公告)号: | CN104716094A | 公开(公告)日: | 2015-06-17 |
发明(设计)人: | 沟本康隆 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种器件晶片的加工方法,其能够实现切割装置的小型化。在板粘合步骤中,通过粘接剂(31)将板(20)粘合于器件晶片(10)的正面,在磨削步骤中,利用保持工作台隔着板(20)来保持器件晶片(10),利用磨削单元对露出的器件晶片(10)的背面(102)进行磨削,使器件晶片(10)减薄到规定的厚度。在切割步骤中,沿着分割预定线(13),从背面(102)侧分割器件晶片(10),形成多个芯片(15)。在拾取步骤中,从板(20)拾取各芯片(15)。由于板(20)与器件晶片(10)为大致相同大小,因此,即使器件晶片(10)大口径化,也能够抑制切割装置变得大型化。 | ||
搜索关键词: | 器件 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种器件晶片的加工方法,对于在正面的由交叉的多条分割预定线划分出的各区域中分别形成有器件的器件晶片进行加工,其特征在于,该器件晶片的加工方法包含如下步骤:板粘合步骤,通过粘接剂将板粘合于器件晶片的正面上;磨削步骤,利用保持工作台隔着该板来保持器件晶片,使器件晶片的背面露出,利用磨削单元对露出的器件晶片的背面进行磨削,使器件晶片减薄到规定的厚度;切割步骤,在实施了该磨削步骤后,沿着该分割预定线,从器件晶片的背面侧进行切割,形成多个芯片;以及拾取步骤,在实施了该切割步骤后,从该板上拾取各个芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科;,未经株式会社迪思科;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410776904.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置的制造方法
- 下一篇:形成浅槽隔离的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造